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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFP140
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFP140 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
IRFP140
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFP140
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 31A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IRFP140.pdf
In magazzino: 5180

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFP140
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - IRFP140, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - IRFP140

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 77mOhm @ 19A, 10V  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor IRFP140

Proprietà del prodotto IRFP140 IRFP064 IRFP1405 IRFP064PBF
Modello di prodotti IRFP140 IRFP064 IRFP1405 IRFP064PBF
fabbricante Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Pacchetto Tube Tube Bag Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - HEXFET® -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 55 V 60 V
Rds On (max) a Id, Vgs 77mOhm @ 19A, 10V 9mOhm @ 78A, 10V 5.3mOhm @ 95A, 10V 9mOhm @ 78A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Tc) 70A (Tc) 95A (Tc) 70A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 7400 pF @ 25 V 5600 pF @ 25 V 7400 pF @ 25 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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