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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFP140N
IRFP140N Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFP140N - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFP140N
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFP140N
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IRFP140N.pdf
In magazzino: 5410

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFP140N
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFP140N, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFP140N

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 52mOhm @ 16A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Bag  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFP140N

Proprietà del prodotto IRFP140N IRFP150A IRFP1405PBF IRFP150MPBF
Modello di prodotti IRFP140N IRFP150A IRFP1405PBF IRFP150MPBF
fabbricante Infineon Technologies onsemi Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC TO-3PN TO-247AC TO-247AC
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc) 43A (Tc) 95A (Tc) 42A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 52mOhm @ 16A, 10V 40mOhm @ 21.5A, 10V 5.3mOhm @ 95A, 10V 36mOhm @ 23A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 193W (Tc) 310W (Tc) 160W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 55 V 100 V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-247-3 TO-247-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 2270 pF @ 25 V 5600 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V
Pacchetto Bag Tube Tube Tube
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V 97 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IRFP140N Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFP140N PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFP140N - Infineon Technologies.

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