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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciHUFA76504DK8T
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HUFA76504DK8T - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
HUFA76504DK8T
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-HUFA76504DK8T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
HUFA76504DK8T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 94330

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche HUFA76504DK8T
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - HUFA76504DK8T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - HUFA76504DK8T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 2.5A, 10V  
Potenza - Max 2.5W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 80V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base HUFA76504  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor HUFA76504DK8T

Proprietà del prodotto HUFA76504DK8T HUFA76504DK8T HUFA76633P3 HUFA76432S3S
Modello di prodotti HUFA76504DK8T HUFA76504DK8T HUFA76633P3 HUFA76432S3S
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 2.5A, 10V 200mOhm @ 2.5A, 10V 35mOhm @ 39A, 10V 17mOhm @ 59A, 10V
Numero di prodotto di base HUFA76504 HUFA76504 - HUFA76
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V 270pF @ 25V 1820 pF @ 25 V 1765 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 2.5W 2.5W - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - - 39A (Tc) 59A (Tc)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC TO-220-3 D²PAK (TO-263)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 10nC @ 10V 67 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Tensione drain-source (Vdss) 80V 80V 100 V 60 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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