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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUFA76437S3S
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

HUFA76437S3S - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
HUFA76437S3S
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-HUFA76437S3S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
HUFA76437P3, S3S.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4500

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUFA76437S3S
Specifiche tecniche onsemi - HUFA76437S3S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - HUFA76437S3S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 71A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 155W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2230 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 71A (Tc)  
Numero di prodotto di base HUFA76  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi HUFA76437S3S

Proprietà del prodotto HUFA76437S3S HUFA76443S3S HUFA76432S3S HUFA76443P3
Modello di prodotti HUFA76437S3S HUFA76443S3S HUFA76432S3S HUFA76443P3
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220-3
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 155W (Tc) 260W (Tc) 130W (Tc) 260W (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V 129 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 129 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 71A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 17mOhm @ 59A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Numero di prodotto di base HUFA76 HUFA76 HUFA76 HUFA76
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 71A (Tc) 75A (Tc) 59A (Tc) 75A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2230 pF @ 25 V 4115 pF @ 25 V 1765 pF @ 25 V 4115 pF @ 25 V

HUFA76437S3S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HUFA76437S3S PDF e la documentazione onsemi per HUFA76437S3S - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
HUFA76437P3, S3S.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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