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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUFA75337S3ST
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HUFA75337S3ST - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
HUFA75337S3ST
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-HUFA75337S3ST
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
HUFA75337S3ST.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 50850

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche HUFA75337S3ST
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - HUFA75337S3ST, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - HUFA75337S3ST

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (TO-263)  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 175W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1775 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor HUFA75337S3ST

Proprietà del prodotto HUFA75337S3ST HUFA75339S3S HUFA75343P3 HUFA75344P3
Modello di prodotti HUFA75337S3ST HUFA75339S3S HUFA75343P3 HUFA75344P3
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Pacchetto Bulk Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220-3 TO-220-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 20 V 130 nC @ 20 V 205 nC @ 20 V 210 nC @ 20 V
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 9mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Dissipazione di potenza (max) 175W (Tc) 200W (Tc) 270W (Tc) 285W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1775 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 3200 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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