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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUFA75343P3
HUFA75343P3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HUFA75343P3 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
HUFA75343P3
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-HUFA75343P3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HUFA75343G3/P3/S3S.pdf
In magazzino: 5080

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche HUFA75343P3
Specifiche tecniche onsemi - HUFA75343P3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - HUFA75343P3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 270W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 205 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base HUFA75  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi HUFA75343P3

Proprietà del prodotto HUFA75343P3 HUFA75343P3 HUFA75344S3ST HUFA75332S3ST
Modello di prodotti HUFA75343P3 HUFA75343P3 HUFA75344S3ST HUFA75332S3ST
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 75A, 10V 9mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 19mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 270W (Tc) 270W (Tc) 285W (Tc) 145W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Pacchetto Tube Tube Bulk Bulk
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 60A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 205 nC @ 20 V 205 nC @ 20 V 210 nC @ 20 V 85 nC @ 20 V
Numero di prodotto di base HUFA75 - - -
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 3200 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V

HUFA75343P3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HUFA75343P3 PDF e la documentazione onsemi per HUFA75343P3 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HUFA75343G3/P3/S3S.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
PDN#Q1080165 17/Jan/2008.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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