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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUF75631S3ST
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

HUF75631S3ST - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
HUF75631S3ST
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-HUF75631S3ST
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
HUF75631S3ST.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 19013

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUF75631S3ST
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - HUF75631S3ST, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - HUF75631S3ST

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 33A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor HUF75631S3ST

Proprietà del prodotto HUF75631S3ST HUF75631P3 HUF75637S3S HUF75637P3
Modello di prodotti HUF75631S3ST HUF75631P3 HUF75637S3S HUF75637P3
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc) 33A (Tc) 44A (Tc) 44A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc) 120W (Tc) 155W (Tc) 155W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 33A, 10V 40mOhm @ 33A, 10V 30mOhm @ 44A, 10V 30mOhm @ 44A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Pacchetto Bulk Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 20 V 79 nC @ 20 V 108 nC @ 20 V 108 nC @ 20 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 25 V 1220 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (TO-263) TO-220-3 D2PAK (TO-263) TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Serie - UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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