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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUF75631S3S
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

HUF75631S3S - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
HUF75631S3S
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-HUF75631S3S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
HUF75631S3S.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 52640

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUF75631S3S
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - HUF75631S3S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - HUF75631S3S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB)  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 33A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)  
Numero di prodotto di base HUF75  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Affected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor HUF75631S3S

Proprietà del prodotto HUF75631S3S HUF75631SK8T HUF75631P3 HUF75617D3ST
Modello di prodotti HUF75631S3S HUF75631SK8T HUF75631P3 HUF75617D3ST
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 20 V 79 nC @ 20 V 79 nC @ 20 V 39 nC @ 20 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 25 V 1225 pF @ 25 V 1220 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 33A, 10V 39mOhm @ 5.5A, 10V 40mOhm @ 33A, 10V 90mOhm @ 16A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc) 5.5A (Ta) 33A (Tc) 16A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc) 2.5W (Ta) 120W (Tc) 64W (Tc)
Numero di prodotto di base HUF75 HUF75 - HUF75
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) 8-SOIC TO-220-3 TO-252AA

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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