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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQU7N20TU
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQU7N20TU - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FQU7N20TU
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FQU7N20TU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
FQU7N20TU.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 46840

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQU7N20TU
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FQU7N20TU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FQU7N20TU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 690mOhm @ 2.65A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FQU7N20TU

Proprietà del prodotto FQU7N20TU FQU6N50CTU FQU7N20TU FQU8P10TU
Modello di prodotti FQU7N20TU FQU6N50CTU FQU7N20TU FQU8P10TU
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 690mOhm @ 2.65A, 10V 1.2Ohm @ 2.25A, 10V 690mOhm @ 2.65A, 10V 530mOhm @ 3.3A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 500 V 200 V 100 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 470 pF @ 25 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A (Tc) 4.5A (Tc) 5.3A (Tc) 6.6A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 61W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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