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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQU8P10TU
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQU8P10TU - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQU8P10TU
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQU8P10TU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
FQD8P10, FQU8P10.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 107190

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQU8P10TU
Specifiche tecniche onsemi - FQU8P10TU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQU8P10TU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 530mOhm @ 3.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.6A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQU8P10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQU8P10TU

Proprietà del prodotto FQU8P10TU FQU6N40CTU FQU9N25TU FQU9N25TU
Modello di prodotti FQU8P10TU FQU6N40CTU FQU9N25TU FQU9N25TU
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.6A (Tc) 4.5A (Tc) 7.4A (Tc) 7.4A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Rds On (max) a Id, Vgs 530mOhm @ 3.3A, 10V 1Ohm @ 2.25A, 10V 420mOhm @ 3.7A, 10V 420mOhm @ 3.7A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base FQU8P10 FQU6 FQU9N25 -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 400 V 250 V 250 V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FQU8P10TU Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQU8P10TU PDF e la documentazione onsemi per FQU8P10TU - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Schede tecniche
FQD8P10, FQU8P10.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 20/Dec/2019.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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