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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQP19N20L
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQP19N20L - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FQP19N20L
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FQP19N20L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
FQP19N20L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3860

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQP19N20L
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FQP19N20L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FQP19N20L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 10.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)  

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Proprietà del prodotto FQP19N20L FQP20N06L FQP19N20C FQP1P50
Modello di prodotti FQP19N20L FQP20N06L FQP19N20C FQP1P50
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 630 pF @ 25 V 1080 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 10.5A, 10V 55mOhm @ 10.5A, 10V 170mOhm @ 9.5A, 10V 10.5Ohm @ 750mA, 10V
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 53W (Tc) 139W (Tc) 63W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 60 V 200 V 500 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc) 21A (Tc) 19A (Tc) 1.5A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V 13 nC @ 5 V 53 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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