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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQP20N06L
FQP20N06L Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQP20N06L - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQP20N06L
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQP20N06L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 21A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP20N06L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 70920

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQP20N06L
Specifiche tecniche onsemi - FQP20N06L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQP20N06L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 10.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 53W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQP20  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQP20N06L

Proprietà del prodotto FQP20N06L FQP20N06TSTU FQP20N06TSTU FQP22N30
Modello di prodotti FQP20N06L FQP20N06TSTU FQP20N06TSTU FQP22N30
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base FQP20 - FQP2 -
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±30V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 10.5A, 10V 60mOhm @ 10A, 10V 60mOhm @ 10A, 10V 160mOhm @ 10.5A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 300 V
Pacchetto Tube Bulk Tube Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 25 V 590 pF @ 25 V 590 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 53W (Tc) 53W (Tc) 53W (Tc) 170W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 21A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®

FQP20N06L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQP20N06L PDF e la documentazione onsemi per FQP20N06L - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP20N06L.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Site Add 14/Oct/2020.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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