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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDS9933BZ
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDS9933BZ - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDS9933BZ
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS9933BZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
P-CHANNEL POWER MOSFET
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS9933BZ.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 86320

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS9933BZ
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDS9933BZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDS9933BZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 46mOhm @ 4.9A, 4.5V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 985pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDS99  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDS9933BZ

Proprietà del prodotto FDS9933BZ FDS9933BZ FDS9933 FDS9933
Modello di prodotti FDS9933BZ FDS9933BZ FDS9933 FDS9933
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 985pF @ 10V 985pF @ 10V 825pF @ 10V 825pF @ 10V
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 46mOhm @ 4.9A, 4.5V 46mOhm @ 4.9A, 4.5V 55mOhm @ 3.2A, 4.5V 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 900mW 900mW 900mW 900mW
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Numero di prodotto di base FDS99 FDS99 FDS99 FDS99
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A 4.9A 5A 5A
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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