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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDS9933
FDS9933 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDS9933 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDS9933
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS9933
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS9933.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 3890

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS9933
Specifiche tecniche onsemi - FDS9933, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDS9933

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 3.2A, 4.5V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 825pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDS99  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDS9933

Proprietà del prodotto FDS9933 FDS9933A FDS9933A FDS9926A
Modello di prodotti FDS9933 FDS9933A FDS9933A FDS9926A
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A 3.8A 3.8A 6.5A
Numero di prodotto di base FDS99 FDS99 FDS99 FDS9926
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 3.2A, 4.5V 75mOhm @ 3.8A, 4.5V 75mOhm @ 3.8A, 4.5V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 10nC @ 4.5V 10nC @ 4.5V 9nC @ 4.5V
Potenza - Max 900mW 900mW 900mW 900mW
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 825pF @ 10V 600pF @ 10V 600pF @ 10V 650pF @ 10V
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FDS9933 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDS9933 PDF e la documentazione onsemi per FDS9933 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 14/Mar/2011.pdf
Schede tecniche
FDS9933.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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