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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDS6875
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDS6875 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDS6875
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS6875
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS6875.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 5190

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS6875
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDS6875, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDS6875

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 4.5V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDS68  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDS6875

Proprietà del prodotto FDS6875 FDS6875 FDS6890A FDS6812A
Modello di prodotti FDS6875 FDS6875 FDS6890A FDS6812A
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 10V 2250pF @ 10V 2130pF @ 10V 1082pF @ 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A 6A 7.5A 6.7A
Potenza - Max 900mW 900mW 900mW 900mW
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Numero di prodotto di base FDS68 FDS68 FDS6890 FDS68
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 4.5V 30mOhm @ 6A, 4.5V 18mOhm @ 7.5A, 4.5V 22mOhm @ 6.7A, 4.5V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 5V 31nC @ 5V 32nC @ 4.5V 19nC @ 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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