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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDS6812A
FDS6812A Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDS6812A - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDS6812A
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS6812A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS6812A.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 3610

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS6812A
Specifiche tecniche onsemi - FDS6812A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDS6812A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 6.7A, 4.5V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1082pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.7A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDS68  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDS6812A

Proprietà del prodotto FDS6812A FDS6812A FDS6875 FDS6875
Modello di prodotti FDS6812A FDS6812A FDS6875 FDS6875
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 900mW 900mW 900mW 900mW
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V 19nC @ 4.5V 31nC @ 5V 31nC @ 5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.7A 6.7A 6A 6A
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Numero di prodotto di base FDS68 FDS68 FDS68 FDS68
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1082pF @ 10V 1082pF @ 10V 2250pF @ 10V 2250pF @ 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 6.7A, 4.5V 22mOhm @ 6.7A, 4.5V 30mOhm @ 6A, 4.5V 30mOhm @ 6A, 4.5V

FDS6812A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDS6812A PDF e la documentazione onsemi per FDS6812A - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FDS6812A.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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