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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDP045N10A
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDP045N10A - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDP045N10A
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDP045N10A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
120A, 100V, 0.0045OHM, N CHANNEL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
FDP045N10A.pdf
In magazzino: 4280

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDP045N10A
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDP045N10A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDP045N10A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 263W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5270 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDP045  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDP045N10A

Proprietà del prodotto FDP045N10A FDP040N06 FDP040N06 FDP045N10A
Modello di prodotti FDP045N10A FDP040N06 FDP040N06 FDP045N10A
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V 4mOhm @ 75A, 10V 4mOhm @ 75A, 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Pacchetto Bulk Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base FDP045 FDP040 - FDP045
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5270 pF @ 50 V 8235 pF @ 25 V 8235 pF @ 25 V 5270 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (max) 263W (Tc) 231W (Tc) 231W (Tc) 263W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 60 V 100 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V 133 nC @ 10 V 133 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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