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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDP047AN08A0
FDP047AN08A0 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDP047AN08A0 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDP047AN08A0
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDP047AN08A0
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FD(P/H)047AN08A0.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 26291

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDP047AN08A0
Specifiche tecniche onsemi - FDP047AN08A0, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDP047AN08A0

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7mOhm @ 80A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 138 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDP047  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDP047AN08A0

Proprietà del prodotto FDP047AN08A0 FDP047N10 FDP047N10 FDP047N08
Modello di prodotti FDP047AN08A0 FDP047N10 FDP047N10 FDP047N08
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base FDP047 - FDP047 FDP047
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 100 V 100 V 75 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 164A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7mOhm @ 80A, 10V 4.7mOhm @ 75A, 10V 4.7mOhm @ 75A, 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V 15265 pF @ 25 V 15265 pF @ 25 V 9415 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 138 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc) 268W (Tc)

FDP047AN08A0 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDP047AN08A0 PDF e la documentazione onsemi per FDP047AN08A0 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FD(P/H)047AN08A0.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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