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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDN338P
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDN338P - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDN338P
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDN338P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
FDN338P.pdf
In magazzino: 5240

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDN338P
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDN338P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDN338P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 115mOhm @ 1.6A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 451 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDN338P

Proprietà del prodotto FDN338P FDN338P FDN339AN FDN338P
Modello di prodotti FDN338P FDN338P FDN339AN FDN338P
fabbricante Fairchild Semiconductor UMW Fairchild Semiconductor onsemi
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Ta) 2.8A (Ta) 3A (Ta) 1.6A (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 451 pF @ 10 V 405 pF @ 10 V 700 pF @ 10 V 451 pF @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 115mOhm @ 1.6A, 4.5V 112mOhm @ 2.8A, 4.5V 35mOhm @ 3A, 4.5V 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 6.2 nC @ 4.5 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) 400mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Serie PowerTrench® UMW PowerTrench® PowerTrench®
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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