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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDN337N
FDN337N Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDN337N - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDN337N
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDN337N
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
FDN337N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 204550

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDN337N
Specifiche tecniche onsemi - FDN337N, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDN337N

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 2.2A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDN337  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDN337N

Proprietà del prodotto FDN337N FDN338P FDN336P FDN336P-NL
Modello di prodotti FDN337N FDN338P FDN336P FDN336P-NL
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta) 1.6A (Ta) 1.3A (Ta) 1.3A (Ta)
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Numero di prodotto di base FDN337 - - FDN336
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 10 V 451 pF @ 10 V 330 pF @ 10 V 330 pF @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 2.2A, 4.5V 115mOhm @ 1.6A, 4.5V 200mOhm @ 1.3A, 4.5V 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V 6.2 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V
Caratteristica FET - - - -
Serie - PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

FDN337N Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDN337N PDF e la documentazione onsemi per FDN337N - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN Design/Specifica
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
SSOT3 Assembly/Test Chg 7/Jul/2020.pdf
Schede tecniche
FDN337N.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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