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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDMS3602AS
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMS3602AS - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMS3602AS
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS3602AS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMS3602AS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4350

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS3602AS
Specifiche tecniche onsemi - FDMS3602AS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMS3602AS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Power56  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V  
Potenza - Max 2.2W, 2.5W  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 13V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 25V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A, 26A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Numero di prodotto di base FDMS3602  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMS3602AS

Proprietà del prodotto FDMS3602AS FDMS3602S FDMS3600S FDMS3602AS
Modello di prodotti FDMS3602AS FDMS3602S FDMS3600S FDMS3602AS
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tensione drain-source (Vdss) 25V 25V 25V 25V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base FDMS3602 FDMS3602 FDMS3600 FDMS3602
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 13V 1680pF @ 13V 1680pF @13V, 5375pF @ 13V 1770pF @ 13V
Potenza - Max 2.2W, 2.5W 1W 2.2W (Ta), 2.5W (Ta) 2.2W, 2.5W
Rds On (max) a Id, Vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V 5.6mOhm @ 15A, 10V 5.6mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 30A, 10V 5.6mOhm @ 15A, 10V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A, 26A 15A, 26A 15A (Ta), 30A (Tc), 30A (Ta), 40A (Tc) 15A, 26A
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA, 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V 27nC @ 10V 27nC @ 10V, 82nC @ 10V 27nC @ 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Contenitore dispositivo fornitore Power56 Power56 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)

FDMS3602AS Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMS3602AS PDF e la documentazione onsemi per FDMS3602AS - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf
Schede tecniche
FDMS3602AS.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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