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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMS3006SDC
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMS3006SDC - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDMS3006SDC
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS3006SDC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
34A, 30V, 0.0019OHM, N-CHANNEL,
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMS3006SDC.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5290

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS3006SDC
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDMS3006SDC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDMS3006SDC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Dual Cool™56  
Serie Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.9mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.3W (Ta), 89W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5725 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDMS30  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDMS3006SDC

Proprietà del prodotto FDMS3006SDC FDMS2D5N08C FDMS2672 FDMS3500
Modello di prodotti FDMS3006SDC FDMS2D5N08C FDMS2672 FDMS3500
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Rds On (max) a Id, Vgs 1.9mOhm @ 30A, 10V 2.7mOhm @ 68A, 10V 77mOhm @ 3.7A, 10V 14.5mOhm @ 11.5A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Ta) 166A (Tc) 3.7A (Ta), 20A (Tc) 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore Dual Cool™56 Power56 8-MLP (5x6), Power56 8-PQFN (5x6)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 80 V 200 V 75 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5725 pF @ 15 V 6240 pF @ 40 V 2315 pF @ 100 V 4765 pF @ 40 V
Serie Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® UltraFET™ PowerTrench®
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 4V @ 380µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 3.3W (Ta), 89W (Tc) 138W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Numero di prodotto di base FDMS30 FDMS2D5 FDMS26 -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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