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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMS2D5N08C
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMS2D5N08C - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMS2D5N08C
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS2D5N08C
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMS2D5N08C.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 30458

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS2D5N08C
Specifiche tecniche onsemi - FDMS2D5N08C, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMS2D5N08C

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 380µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Power56  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7mOhm @ 68A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 138W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6240 pF @ 40 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 166A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDMS2D5  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMS2D5N08C

Proprietà del prodotto FDMS2D5N08C FDMS3006SDC FDMS2672 FDMS2734
Modello di prodotti FDMS2D5N08C FDMS3006SDC FDMS2672 FDMS2734
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore Power56 Dual Cool™56 8-MLP (5x6), Power56 8-MLP (5x6), Power56
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7mOhm @ 68A, 10V 1.9mOhm @ 30A, 10V 77mOhm @ 3.7A, 10V 122mOhm @ 2.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 138W (Tc) 3.3W (Ta), 89W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6240 pF @ 40 V 5725 pF @ 15 V 2315 pF @ 100 V 2365 pF @ 100 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 166A (Tc) 34A (Ta) 3.7A (Ta), 20A (Tc) 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Numero di prodotto di base FDMS2D5 - FDMS26 FDMS27
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie PowerTrench® Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ UltraFET™ UltraFET™
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 30 V 200 V 250 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 380µA 3V @ 1mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

FDMS2D5N08C Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMS2D5N08C PDF e la documentazione onsemi per FDMS2D5N08C - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Retraction 4/Jan/2023.pdf
Schede tecniche
FDMS2D5N08C.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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