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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDM3300NZ
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDM3300NZ - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDM3300NZ
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDM3300NZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
FDM3300NZ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 17785

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDM3300NZ
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDM3300NZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDM3300NZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Power33  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 10A, 4.5V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1610pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDM3300  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDM3300NZ

Proprietà del prodotto FDM3300NZ FDM3300NZ FDM2452NZ FDM2509NZ
Modello di prodotti FDM3300NZ FDM3300NZ FDM2452NZ FDM2509NZ
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Potenza - Max 900mW 900mW 800mW (Ta) 800mW
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 30V 20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore Power33 Power33 6-MLP (2x5) MicroFET 2x2 Thin
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 6-WFDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 10A, 4.5V 23mOhm @ 10A, 4.5V 21mOhm @ 8.1A, 4.5V 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V 17nC @ 4.5V 19nC @ 4.5V 17nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1610pF @ 10V 1610pF @ 10V 980pF @ 15V 1200pF @ 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base FDM3300 FDM3300 FDM2452 FDM2509
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A 10A 8.1A (Ta) 8.7A
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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