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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDM2509NZ
FDM2509NZ Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDM2509NZ - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDM2509NZ
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDM2509NZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-UDFN Exposed Pad
Scheda dati
FDM2509NZ.pdf
In magazzino: 4260

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDM2509NZ
Specifiche tecniche onsemi - FDM2509NZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDM2509NZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore MicroFET 2x2 Thin  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 8.7A, 4.5V  
Potenza - Max 800mW  
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.7A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDM2509  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDM2509NZ

Proprietà del prodotto FDM2509NZ FDM3300NZ FDM2509NZ FDM3300NZ
Modello di prodotti FDM2509NZ FDM3300NZ FDM2509NZ FDM3300NZ
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Potenza - Max 800mW 900mW 800mW 900mW
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 8.7A, 4.5V 23mOhm @ 10A, 4.5V 18mOhm @ 8.7A, 4.5V 23mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V 1610pF @ 10V 1200pF @ 10V 1610pF @ 10V
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 6-UDFN Exposed Pad 8-PowerVDFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.7A 10A 8.7A 10A
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V 17nC @ 4.5V 17nC @ 4.5V 17nC @ 4.5V
Numero di prodotto di base FDM2509 FDM3300 FDM2509 FDM3300
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore MicroFET 2x2 Thin Power33 MicroFET 2x2 Thin Power33
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

FDM2509NZ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDM2509NZ PDF e la documentazione onsemi per FDM2509NZ - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FDM2509NZ.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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