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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDB8443
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDB8443 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDB8443
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDB8443
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
FDB8443.pdf
In magazzino: 4710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDB8443
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDB8443, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDB8443

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (TO-263)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3mOhm @ 80A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 188W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9310 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 185 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta), 120A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDB8443

Proprietà del prodotto FDB8443 FDB8444 FDB8030L FDB8443
Modello di prodotti FDB8443 FDB8444 FDB8030L FDB8443
fabbricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 185 nC @ 10 V 128 nC @ 10 V 170 nC @ 5 V 185 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta), 120A (Tc) 70A (Tc) 80A (Ta) 25A (Ta), 120A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 3mOhm @ 80A, 10V 5.5mOhm @ 70A, 10V 3.5mOhm @ 80A, 10V 3mOhm @ 80A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 30 V 40 V
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9310 pF @ 25 V 8035 pF @ 25 V 10500 pF @ 15 V 9310 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Dissipazione di potenza (max) 188W (Tc) 167W (Tc) 187W (Tc) 188W (Tc)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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