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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDB8453LZ
FDB8453LZ Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDB8453LZ - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDB8453LZ
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDB8453LZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
FDB8453LZ.pdf
In magazzino: 4060

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDB8453LZ
Specifiche tecniche onsemi - FDB8453LZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDB8453LZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 17.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 66W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3545 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16.1A (Ta), 50A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDB845  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDB8453LZ

Proprietà del prodotto FDB8453LZ FDB8443 FDB86102LZ FDB8447L
Modello di prodotti FDB8453LZ FDB8443 FDB86102LZ FDB8447L
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 100 V 40 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 17.6A, 10V 3mOhm @ 80A, 10V 24mOhm @ 8.3A, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16.1A (Ta), 50A (Tc) 25A (Ta), 120A (Tc) 8.3A (Ta), 30A (Tc) 15A (Ta), 50A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 66W (Tc) 188W (Tc) 3.1W (Ta) 3.1W (Ta), 60W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3545 pF @ 20 V 9310 pF @ 25 V 1275 pF @ 50 V 2620 pF @ 20 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base FDB845 - - FDB8447
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)

FDB8453LZ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDB8453LZ PDF e la documentazione onsemi per FDB8453LZ - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FDB8453LZ.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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