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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDB6670AS
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDB6670AS - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDB6670AS
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDB6670AS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
FDB6670AS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 17829

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDB6670AS
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDB6670AS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDB6670AS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (TO-263)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.5mOhm @ 31A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 15 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 62A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDB6670AS

Proprietà del prodotto FDB6670AS FDB6690S FDB6670AL FDB7030BL
Modello di prodotti FDB6670AS FDB6690S FDB6670AL FDB7030BL
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 62A (Ta) 42A (Ta) 80A (Ta) 60A (Ta)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Rds On (max) a Id, Vgs 8.5mOhm @ 31A, 10V 15.5mOhm @ 21A, 10V 6.5mOhm @ 40A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® PowerTrench®
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc) 48W (Tc) 68W (Tc) 60W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 15 V 15 nC @ 5 V 33 nC @ 5 V 24 nC @ 5 V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-263AB
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 15 V 1238 pF @ 15 V 2440 pF @ 15 V 1760 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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