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FDB6670AS Image
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FDB6670AS - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDB6670AS
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDB6670AS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
FDB6670AS, FDP6670AS.pdf
In magazzino: 4720

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDB6670AS
Specifiche tecniche onsemi - FDB6670AS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDB6670AS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.5mOhm @ 31A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 15 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 62A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDB667  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDB6670AS

Proprietà del prodotto FDB6670AS FDB6670AL FDB6690S FDB603AL
Modello di prodotti FDB6670AS FDB6670AL FDB6690S FDB603AL
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 62A (Ta) 80A (Ta) 42A (Ta) 33A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc) 68W (Tc) 48W (Tc) 50W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base FDB667 - FDB669 -
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-263AB
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 15 V 33 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 26 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 8.5mOhm @ 31A, 10V 6.5mOhm @ 40A, 10V 15.5mOhm @ 21A, 10V 22mOhm @ 25A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 15 V 2440 pF @ 15 V 1238 pF @ 15 V 670 pF @ 15 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FDB6670AS Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDB6670AS PDF e la documentazione onsemi per FDB6670AS - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
Schede tecniche
FDB6670AS, FDP6670AS.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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