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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDA20N50
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDA20N50 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDA20N50
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDA20N50
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
FDA20N50.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 14005

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDA20N50
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDA20N50, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDA20N50

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN  
Serie UniFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 230mOhm @ 11A, 10V  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3120 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 59.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDA20N50

Proprietà del prodotto FDA20N50 FDA16N50 FDA16N50LDTU FDA20N50-F109
Modello di prodotti FDA20N50 FDA16N50 FDA16N50LDTU FDA20N50-F109
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc) 16.5A (Tc) 16.5A (Tc) 22A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 59.5 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 59.5 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie UniFET™ UniFET™ - UniFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 230mOhm @ 11A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 230mOhm @ 11A, 10V
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads) TO-3P-3, SC-65-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3120 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 3120 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN TO-3PN TO-3PN (L-Forming) TO-3PN
Caratteristica FET - - - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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