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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDA18N50
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDA18N50 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDA18N50
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDA18N50
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 19A TO3PN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
FDA18N50.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 16011

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDA18N50
Specifiche tecniche onsemi - FDA18N50, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDA18N50

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN  
Serie UniFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 265mOhm @ 9.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 239W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2860 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDA18  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDA18N50

Proprietà del prodotto FDA18N50 FDA16N50 FDA15N65 FDA20N50F
Modello di prodotti FDA18N50 FDA16N50 FDA15N65 FDA20N50F
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc) 16.5A (Tc) 16A (Tc) 22A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2860 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 3095 pF @ 25 V 3390 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 265mOhm @ 9.5A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 440mOhm @ 8A, 10V 260mOhm @ 11A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base FDA18 - - FDA20N50
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 239W (Tc) 205W (Tc) 260W (Tc) 388W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 650 V 500 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Serie UniFET™ UniFET™ UniFET™ FRFET®, UniFET™

FDA18N50 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDA18N50 PDF e la documentazione onsemi per FDA18N50 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
FDYYY 20/Sep/2019.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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