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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCH067N65S3-F155
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FCH067N65S3-F155 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FCH067N65S3-F155
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FCH067N65S3-F155
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
FCH067N65S3-F155.pdf
In magazzino: 3720

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FCH067N65S3-F155
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FCH067N65S3-F155, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FCH067N65S3-F155

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4.4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie SuperFET® III  
Rds On (max) a Id, Vgs 67mOhm @ 22A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 312W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3090 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FCH067N65S3-F155

Proprietà del prodotto FCH067N65S3-F155 FCH060N80-F155 FCH077N65F-F085 FCH043N60
Modello di prodotti FCH067N65S3-F155 FCH060N80-F155 FCH077N65F-F085 FCH043N60
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 800 V 650 V 600 V
Dissipazione di potenza (max) 312W (Tc) 500W (Tc) 481W (Tc) 592W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Serie SuperFET® III SuperFET® II Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II SuperFET® II
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 67mOhm @ 22A, 10V 60mOhm @ 29A, 10V 77mOhm @ 27A, 10V 43mOhm @ 38A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 164 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3090 pF @ 400 V 14685 pF @ 100 V 7162 pF @ 25 V 12225 pF @ 400 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247 TO-247-3
Pacchetto Bulk Tube Bulk Bulk
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc) 56A (Tc) 54A (Tc) 75A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4.4mA 4.5V @ 5.8mA 5V @ 250µA 3.5V @ 250µA

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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