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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCH067N65S3-F155
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FCH067N65S3-F155 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FCH067N65S3-F155
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FCH067N65S3-F155
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 44A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
FCH067N65S3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 6629

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FCH067N65S3-F155
Specifiche tecniche onsemi - FCH067N65S3-F155, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FCH067N65S3-F155

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4.4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie SuperFET® III  
Rds On (max) a Id, Vgs 67mOhm @ 22A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 312W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3090 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc)  
Numero di prodotto di base FCH067  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FCH067N65S3-F155

Proprietà del prodotto FCH067N65S3-F155 FCH060N80-F155 FCH043N60 FCH060N80-F155
Modello di prodotti FCH067N65S3-F155 FCH060N80-F155 FCH043N60 FCH060N80-F155
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 67mOhm @ 22A, 10V 60mOhm @ 29A, 10V 43mOhm @ 38A, 10V 60mOhm @ 29A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc) 56A (Tc) 75A (Tc) 56A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie SuperFET® III SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3090 pF @ 400 V 14685 pF @ 100 V 12225 pF @ 400 V 14685 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 800 V 600 V 800 V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4.4mA 4.5V @ 5.8mA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 5.8mA
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Numero di prodotto di base FCH067 - FCH043 FCH060
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Dissipazione di potenza (max) 312W (Tc) 500W (Tc) 592W (Tc) 500W (Tc)

FCH067N65S3-F155 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FCH067N65S3-F155 PDF e la documentazione onsemi per FCH067N65S3-F155 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Numero parte PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN Design/Specifica
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Schede tecniche
FCH067N65S3.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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