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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFKV550N
FKV550N Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FKV550N - Sanken Electric USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
FKV550N
fabbricante
Sanken Electric USA Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-FKV550N
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 50V 50A TO220F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
Mosfet Catalog.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 4110

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FKV550N
Specifiche tecniche Sanken Electric USA Inc. - FKV550N, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Sanken Electric USA Inc. - FKV550N

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Sanken Electric USA Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 50 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Ta)  
Numero di prodotto di base FKV550  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Sanken Electric USA Inc. FKV550N

Proprietà del prodotto FKV550N SUP85N10-10-GE3 AOI4126 IRFIZ44GPBF
Modello di prodotti FKV550N SUP85N10-10-GE3 AOI4126 IRFIZ44GPBF
fabbricante Sanken Electric USA Inc. Vishay Siliconix Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vishay Siliconix
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 7V, 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) 48W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 10 V 6550 pF @ 25 V 2200 pF @ 50 V 2500 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 25A, 10V 10.5mOhm @ 30A, 10V 24mOhm @ 20A, 10V 28mOhm @ 18A, 10V
Numero di prodotto di base FKV550 SUP85 AOI41 IRFIZ44
Tensione drain-source (Vdss) 50 V 100 V 100 V 60 V
Pacchetto Bulk Tube Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Ta) 85A (Tc) 7.5A (Ta), 43A (Tc) 30A (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 4.2V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie - TrenchFET® SDMOS™ -
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F - TO-251A TO-220-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FKV550N Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FKV550N PDF e la documentazione Sanken Electric USA Inc. per FKV550N - Sanken Electric USA Inc..

Schede tecniche
Mosfet Catalog.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-FKV550N

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