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IRFIZ44GPBF Image
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IRFIZ44GPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFIZ44GPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFIZ44GPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Scheda dati
IRFIZ44G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 26230

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFIZ44GPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFIZ44GPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFIZ44GPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 18A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFIZ44  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFIZ44GPBF

Proprietà del prodotto IRFIZ44GPBF IRFIZ34G IRFIZ34NPBF IRFIZ46N
Modello di prodotti IRFIZ44GPBF IRFIZ34G IRFIZ34NPBF IRFIZ46N
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 18A, 10V 50mOhm @ 12A, 10V 40mOhm @ 11A, 10V 20mOhm @ 19A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) 42W (Tc) 37W (Tc) 45W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 20A (Tc) 21A (Tc) 33A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base IRFIZ44 IRFIZ34 IRFIZ34 -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 55 V 55 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRFIZ44GPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFIZ44GPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFIZ44GPBF - Vishay Siliconix.

PCN Design/Specifica
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Schede tecniche
IRFIZ44G.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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