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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloZXMN6A09KTC
ZXMN6A09KTC Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMN6A09KTC - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMN6A09KTC
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMN6A09KTC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
ZXMN6A09KTC.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3830

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMN6A09KTC
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMN6A09KTC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMN6A09KTC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 7.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.15W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1426 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base ZXMN6  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMN6A09KTC

Proprietà del prodotto ZXMN6A09KTC ZXMN6A09GTA ZXMN6A08KTC ZXMN6A11GTA
Modello di prodotti ZXMN6A09KTC ZXMN6A09GTA ZXMN6A08KTC ZXMN6A11GTA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-3 SOT-223-3 TO-252-3 SOT-223-3
Dissipazione di potenza (max) 2.15W (Ta) 2W (Ta) 2.12W (Ta) 2W (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 7.3A, 10V 40mOhm @ 8.2A, 10V 80mOhm @ 4.8A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A (Ta) 5.4A (Ta) 5.36A (Ta) 3.1A (Ta)
Numero di prodotto di base ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1426 pF @ 30 V 1407 pF @ 40 V 459 pF @ 40 V 330 pF @ 40 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 24.2 nC @ 5 V 5.8 nC @ 10 V 5.7 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

ZXMN6A09KTC Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMN6A09KTC PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMN6A09KTC - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
ZXMN6A09KTC.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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