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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloZXMN6A09GTA
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMN6A09GTA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMN6A09GTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMN6A09GTA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
ZXMN6A09GTA.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 47610

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMN6A09GTA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMN6A09GTA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMN6A09GTA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 8.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1407 pF @ 40 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24.2 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A (Ta)  
Numero di prodotto di base ZXMN6  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMN6A09GTA

Proprietà del prodotto ZXMN6A09GTA ZXMN6A08KTC ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GQTA
Modello di prodotti ZXMN6A09GTA ZXMN6A08KTC ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GQTA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) 2.12W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A (Ta) 5.36A (Ta) 3.8A (Ta) 3.8A (Ta)
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1407 pF @ 40 V 459 pF @ 40 V 459 pF @ 40 V 459 pF @ 40 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3 TO-252-3 SOT-223-3 SOT-223-3
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24.2 nC @ 5 V 5.8 nC @ 10 V 5.8 nC @ 10 V 5.8 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 8.2A, 10V 80mOhm @ 4.8A, 10V 80mOhm @ 4.8A, 10V 80mOhm @ 4.8A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

ZXMN6A09GTA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMN6A09GTA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMN6A09GTA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
Schede tecniche
ZXMN6A09GTA.pdf

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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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