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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloZXM64P02XTC
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXM64P02XTC - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXM64P02XTC
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXM64P02XTC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Scheda dati
ZXM64P02XTC.pdf
In magazzino: 4340

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXM64P02XTC
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXM64P02XTC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXM64P02XTC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-MSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 2.4A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.9 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXM64P02XTC

Proprietà del prodotto ZXM64P02XTC ZXM66P02N8TA ZXM64N035GTA ZXM64P035L3
Modello di prodotti ZXM64P02XTC ZXM66P02N8TA ZXM64N035GTA ZXM64P035L3
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 2.4A, 4.5V 25mOhm @ 3.2A, 4.5V 50mOhm @ 3.7A, 10V 75mOhm @ 2.4A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta) 1.56W (Ta) 2W (Ta) 1.5W (Ta), 20W (Tc)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore 8-MSOP 8-SO SOT-223-3 TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 35 V 35 V
Serie - - - -
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-261-4, TO-261AA TO-220-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 15 V 2068 pF @ 15 V 950 pF @ 25 V 825 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.9 nC @ 4.5 V 43.3 nC @ 4.5 V 27 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta) 6.4A (Ta) 4.8A (Ta), 6.7A (Tc) 3.3A (Ta), 12A (Tc)

ZXM64P02XTC Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXM64P02XTC PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXM64P02XTC - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
ZXM64P02XTC.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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