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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloZXM64N035GTA
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXM64N035GTA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXM64N035GTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXM64N035GTA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 35V 4.8A/6.7A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
ZXM64N035G MOSFET.pdf
In magazzino: 5360

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXM64N035GTA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXM64N035GTA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXM64N035GTA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 3.7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 35 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.8A (Ta), 6.7A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXM64N035GTA

Proprietà del prodotto ZXM64N035GTA ZXM64N03XTA ZXM64N02XTA ZXM64P035GTA
Modello di prodotti ZXM64N035GTA ZXM64N03XTA ZXM64N02XTA ZXM64P035GTA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3 8-MSOP 8-MSOP SOT-223-3
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) 1.1W (Ta) 1.1W (Ta) 2W (Ta)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 35 V 30 V 20 V 35 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 25 V 950 pF @ 25 V 1100 pF @ 15 V 825 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 16 nC @ 4.5 V 46 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) TO-261-4, TO-261AA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 3.7A, 10V 45mOhm @ 3.7A, 10V 40mOhm @ 3.8A, 4.5V 75mOhm @ 2.4A, 10V
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.8A (Ta), 6.7A (Tc) 5A (Ta) 5.4A (Ta) 3.8A (Ta), 5.3A (Tc)

ZXM64N035GTA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXM64N035GTA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXM64N035GTA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
ZXM64N035G MOSFET.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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