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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloZVN4206GVTA
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZVN4206GVTA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZVN4206GVTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZVN4206GVTA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
ZVN4206G.pdf
ZVN4206GV.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 79190

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ZVN4206GVTA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZVN4206GVTA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZVN4206GVTA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)  
Numero di prodotto di base ZVN4206  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZVN4206GVTA

Proprietà del prodotto ZVN4206GVTA ZVN4306A ZVN4206ASTOA ZVN4210ASTZ
Modello di prodotti ZVN4206GVTA ZVN4306A ZVN4206ASTOA ZVN4210ASTZ
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA 2.4V @ 1mA
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V 330mOhm @ 3A, 10V 1Ohm @ 1.5A, 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) E-Line-3 E-Line-3
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3 TO-92 E-Line (TO-92 compatible) E-Line (TO-92 compatible)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V
Serie - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta) 1.1A (Ta) 600mA (Ta) 450mA (Ta)
Numero di prodotto di base ZVN4206 ZVN4306 - ZVN4210
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) 850mW (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta)

ZVN4206GVTA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZVN4206GVTA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZVN4206GVTA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
Schede tecniche
ZVN4206G.pdf ZVN4206GV.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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