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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloZVN4206ASTZ
ZVN4206ASTZ Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

ZVN4206ASTZ - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZVN4206ASTZ
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZVN4206ASTZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
Pacchetto
E-Line-3
Scheda dati
ZVN4206A.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 112530

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche ZVN4206ASTZ
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZVN4206ASTZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZVN4206ASTZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore E-Line (TO-92 compatible)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)  
Contenitore / involucro E-Line-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta)  
Numero di prodotto di base ZVN4206  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZVN4206ASTZ

Proprietà del prodotto ZVN4206ASTZ ZVN4206GTA ZVN3320FTA ZVN4210A
Modello di prodotti ZVN4206ASTZ ZVN4206GTA ZVN3320FTA ZVN4210A
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA 2.4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) 2W (Ta) 330mW (Ta) 700mW (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore E-Line (TO-92 compatible) SOT-223-3 SOT-23-3 TO-92
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V 1Ohm @ 1.5A, 10V 25Ohm @ 100mA, 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Contenitore / involucro E-Line-3 TO-261-4, TO-261AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V 10V 5V, 10V
Numero di prodotto di base ZVN4206 ZVN4206 ZVN3320 ZVN4210
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta) 1A (Ta) 60mA (Ta) 450mA (Ta)
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 200 V 100 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

ZVN4206ASTZ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZVN4206ASTZ PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZVN4206ASTZ - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
ZVN4206A.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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