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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNMSD200B01-7
NMSD200B01-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NMSD200B01-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
NMSD200B01-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-NMSD200B01-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
NMSD200B01-7.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5160

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NMSD200B01-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - NMSD200B01-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - NMSD200B01-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 50mA, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta)  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated NMSD200B01-7

Proprietà del prodotto NMSD200B01-7 AO4568 BSP321PH6327XTSA1 SI8802DB-T2-E1
Modello di prodotti NMSD200B01-7 AO4568 BSP321PH6327XTSA1 SI8802DB-T2-E1
fabbricante Diodes Incorporated Alpha & Omega Semiconductor Inc. Infineon Technologies Vishay Siliconix
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363 8-SOIC PG-SOT223-4 4-Microfoot
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 600 pF @ 15 V 319 pF @ 25 V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated) - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V 10V 1.2V, 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 50mA, 5V 11.5mOhm @ 12A, 10V 900mOhm @ 980mA, 10V 54mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 2.2V @ 250µA 4V @ 380µA 700mV @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 30 V 100 V 8 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta) 12A (Ta) 980mA (Tc) 3A (Ta)
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta) 2.5W (Ta) 1.8W (Ta) 500mW (Ta)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-261-4, TO-261AA 4-XFBGA
Serie - - SIPMOS™ TrenchFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

NMSD200B01-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NMSD200B01-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per NMSD200B01-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Chgs 5/May/2020.pdf
Schede tecniche
NMSD200B01-7.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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