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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSI8802DB-T2-E1
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

SI8802DB-T2-E1 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI8802DB-T2-E1
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI8802DB-T2-E1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Pacchetto
4-XFBGA
Scheda dati
Si8802DB.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 259650

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI8802DB-T2-E1
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI8802DB-T2-E1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI8802DB-T2-E1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±5V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 4-Microfoot  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 54mOhm @ 1A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)  
Contenitore / involucro 4-XFBGA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 8 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)  
Numero di prodotto di base SI8802  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI8802DB-T2-E1

Proprietà del prodotto SI8802DB-T2-E1 SI8817DB-T2-E1 SI8809EDB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1
Modello di prodotti SI8802DB-T2-E1 SI8817DB-T2-E1 SI8809EDB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 250µA 1.4V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Tensione drain-source (Vdss) 8 V 20 V 20 V 30 V
Contenitore dispositivo fornitore 4-Microfoot 4-Microfoot 4-Microfoot 4-Microfoot
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±5V ±8V ±8V ±12V
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Contenitore / involucro 4-XFBGA 4-XFBGA 4-XFBGA 4-XFBGA
Rds On (max) a Id, Vgs 54mOhm @ 1A, 4.5V 76mOhm @ 1A, 4.5V 90mOhm @ 1.5A, 4.5V 109mOhm @ 1A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V 19 nC @ 8 V 15 nC @ 8 V 8 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 10V
Numero di prodotto di base SI8802 SI8817 SI8809 SI8816
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta) 2.1A (Ta) 1.94 (Ta) 1.5A (Ta)

SI8802DB-T2-E1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI8802DB-T2-E1 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI8802DB-T2-E1 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
Schede tecniche
Si8802DB.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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