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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMN6040SFDE-7
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN6040SFDE-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN6040SFDE-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN6040SFDE-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-PowerUDFN
Scheda dati
DMN6040SFDE.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 193940

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN6040SFDE-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN6040SFDE-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN6040SFDE-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type E)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 38mOhm @ 4.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 660mW (Ta)  
Contenitore / involucro 6-PowerUDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1287 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A (Ta)  
Numero di prodotto di base DMN6040  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN6040SFDE-7

Proprietà del prodotto DMN6040SFDE-7 DMN6040SE-13 DMN6040SSS-13 DMN601WKQ-7
Modello di prodotti DMN6040SFDE-7 DMN6040SE-13 DMN6040SSS-13 DMN601WKQ-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 660mW (Ta) 1.2W (Ta) 1.5W (Ta) 200mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1287 pF @ 25 V 1287 pF @ 25 V 1287 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22.4 nC @ 10 V 22.4 nC @ 10 V 22.4 nC @ 10 V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A (Ta) 5A (Ta) 5.5A (Ta) 300mA (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 1mA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base DMN6040 DMN6040 DMN6040 DMN601
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 6-PowerUDFN TO-261-4, TO-261AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SC-70, SOT-323
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 38mOhm @ 4.3A, 10V 40mOhm @ 12A, 10V 40mOhm @ 4.5A, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie - Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type E) SOT-223-3 8-SO SOT-323

DMN6040SFDE-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN6040SFDE-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN6040SFDE-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018.pdf
Schede tecniche
DMN6040SFDE.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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