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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMN601VK-7
DMN601VK-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN601VK-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN601VK-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN601VK-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
DMN601VK-7.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 865450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN601VK-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN601VK-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN601VK-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V  
Potenza - Max 250mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 305mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base DMN601  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN601VK-7

Proprietà del prodotto DMN601VK-7 DMN601TK-7-36 DMN601TK DMN601WK-7-F-85
Modello di prodotti DMN601VK-7 DMN601TK-7-36 DMN601TK DMN601WK-7-F-85
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA - - -
Numero di prodotto di base DMN601 - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60V - - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - - -
Caratteristica FET Logic Level Gate - - -
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V - - -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563 - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Serie - - - -
Potenza - Max 250mW - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 305mA - - -
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 - - -

DMN601VK-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN601VK-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN601VK-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf Cooper Lead Frame 06/July/2007.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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