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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMN3731U-7
DMN3731U-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN3731U-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN3731U-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN3731U-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
DMN3731U.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 879900

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN3731U-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN3731U-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN3731U-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 950mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 460mOhm @ 200mA, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 400mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 73 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 900mA (Ta)  
Numero di prodotto di base DMN3731  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN3731U-7

Proprietà del prodotto DMN3731U-7 DMN3730UFB4-7 DMN3730UFB4-7B DMN3730UFB-7
Modello di prodotti DMN3731U-7 DMN3730UFB4-7 DMN3730UFB4-7B DMN3730UFB-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 73 pF @ 25 V 64.3 pF @ 25 V 64.3 pF @ 25 V 64.3 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V 1.6 nC @ 4.5 V 1.6 nC @ 4.5 V 1.6 nC @ 4.5 V
Numero di prodotto di base DMN3731 DMN3730 DMN3730 DMN3730
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 3-XFDFN 3-XFDFN 3-UFDFN
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Rds On (max) a Id, Vgs 460mOhm @ 200mA, 4.5V 460mOhm @ 200mA, 4.5V 460mOhm @ 200mA, 4.5V 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 400mW 470mW (Ta) 470mW (Ta) 470mW (Ta)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 900mA (Ta) 750mA (Ta) 750mA (Ta) 750mA (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 X2-DFN1006-3 X2-DFN1006-3 X1-DFN1006-3
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 950mV @ 250µA 950mV @ 250µA 950mV @ 250µA 950mV @ 250µA

DMN3731U-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN3731U-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN3731U-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Schede tecniche
DMN3731U.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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