Specifiche
Specifiche tecnologiche DMN3730UFB4-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN3730UFB4-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN3730UFB4-7
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
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| fabbricante |
Diodes Incorporated |
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| Vgs (th) (max) a Id |
950mV @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
±8V |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
X2-DFN1006-3 |
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| Serie |
- |
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| Rds On (max) a Id, Vgs |
460mOhm @ 200mA, 4.5V |
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| Dissipazione di potenza (max) |
470mW (Ta) |
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| Contenitore / involucro |
3-XFDFN |
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| Pacchetto |
Tape & Reel (TR) |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
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| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
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| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
64.3 pF @ 25 V |
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| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
1.6 nC @ 4.5 V |
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| Tipo FET |
N-Channel |
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| Caratteristica FET |
- |
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| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) |
1.8V, 4.5V |
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| Tensione drain-source (Vdss) |
30 V |
|
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
750mA (Ta) |
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| Numero di prodotto di base |
DMN3730 |
|
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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DMN3404L-7-FDiodes Incorporated
DMN3900UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
DMN3730UFB-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
DMN3401LDW-7Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363