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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMN2004VK-7
DMN2004VK-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN2004VK-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN2004VK-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN2004VK-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
DMN2004VK.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 245120

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN2004VK-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN2004VK-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN2004VK-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V  
Potenza - Max 250mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 540mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base DMN2004  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN2004VK-7

Proprietà del prodotto DMN2004VK-7 DMN2004DWKQ-7 DMN2005DLP4K-7 DMN2004WKQ-7
Modello di prodotti DMN2004VK-7 DMN2004DWKQ-7 DMN2005DLP4K-7 DMN2004WKQ-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET Logic Level Gate - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-XFDFN Exposed Pad SC-70, SOT-323
Numero di prodotto di base DMN2004 DMN2004 DMN2005 DMN2004
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - 0.95nC @ 8V - -
Potenza - Max 250mW 200mW 400mW -
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V 1.5Ohm @ 10mA, 4V 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 100µA 1V @ 250µA
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V 150pF @ 16V - 150 pF @ 16 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 540mA 540mA (Ta) 300mA 540mA (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563 SOT-363 X2-DFN1310-6 (Type B) SOT-323
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101

DMN2004VK-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN2004VK-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN2004VK-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
DMN2004VK.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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