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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloDMJT9435-13
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMJT9435-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMJT9435-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMJT9435-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 30V 3A SOT223-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
DMJT9435.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 243500

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMJT9435-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMJT9435-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMJT9435-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 30 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 550mV @ 300mA, 3A  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3  
Serie -  
Potenza - Max 1.2 W  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 160MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 125 @ 800mA, 1V  
Corrente - Cutoff collettore (max) -  
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A  
Numero di prodotto di base DMJT9435  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMJT9435-13

Proprietà del prodotto DMJT9435-13 STN851-A BD439G 2SC2412-Q
Modello di prodotti DMJT9435-13 STN851-A BD439G 2SC2412-Q
fabbricante Diodes Incorporated STMicroelectronics onsemi Yangjie Technology
Numero di prodotto di base DMJT9435 STN851 BD439 -
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A 5 A 4 A 150 mA
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 125 @ 800mA, 1V 150 @ 2A, 1V 40 @ 500mA, 1V 120 @ 1mA, 6V
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-225AA, TO-126-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3 SOT-223 TO-126 SOT-23
Corrente - Cutoff collettore (max) - 50nA (ICBO) 100µA (ICBO) 100nA (ICBO)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 550mV @ 300mA, 3A 500mV @ 200mA, 5A 800mV @ 300mA, 3A 400mV @ 5mA, 50mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Potenza - Max 1.2 W 1.6 W 36 W 200 mW
Serie - - - -
Tipo transistor PNP NPN NPN NPN
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 30 V 60 V 60 V 50 V
Frequenza - transizione 160MHz 130MHz 3MHz 150MHz

DMJT9435-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMJT9435-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMJT9435-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Altro
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN Design/Specifica
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf Die Layover Addition 19/Aug/2016.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Additional Wafer Source 03/May/2023.pdf
Schede tecniche
DMJT9435.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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