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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloBD439G
BD439G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BD439G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
BD439G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-BD439G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 60V 4A TO126
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-225AA, TO-126-3
Scheda dati
BD435,437,439,441.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 89010

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BD439G
Specifiche tecniche onsemi - BD439G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - BD439G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 800mV @ 300mA, 3A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-126  
Serie -  
Potenza - Max 36 W  
Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 3MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 500mA, 1V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 4 A  
Numero di prodotto di base BD439  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi BD439G

Proprietà del prodotto BD439G BD438G BD441G BD436T
Modello di prodotti BD439G BD438G BD441G BD436T
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Tube
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 500mA, 1V 85 @ 500mA, 1V 40 @ 500mA, 1V 85 @ 500mA, 1V
Serie - - - -
Frequenza - transizione 3MHz 3MHz 3MHz 3MHz
Contenitore dispositivo fornitore TO-126 TO-126 TO-126 TO-126
Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3
Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA (ICBO) 100µA (ICBO) 100µA (ICBO) 100µA (ICBO)
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 800mV @ 300mA, 3A 700mV @ 300mA, 3A 800mV @ 300mA, 3A 500mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor NPN PNP NPN PNP
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Potenza - Max 36 W 36 W 36 W 36 W
Corrente - collettore (Ic) (max) 4 A 4 A 4 A 4 A
Numero di prodotto di base BD439 BD438 BD441 BD436
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60 V 45 V 80 V 32 V

BD439G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BD439G PDF e la documentazione onsemi per BD439G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Change 28/Dec/2020.pdf
Schede tecniche
BD435,437,439,441.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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